光伝送用受光部
製品概要
- 2.5Gbps InGaAs APD Avalanche Photo Diode
用途
- 光伝送の受信部として。
- OTDRの受光部として
- 実験、研究用途に。
機能・特長
- 低暗電流
- 高速2.5Gbps
- ピグテイル型TO-18パッケージとFC/SCレセプタクル、2種類のラインナップ
- 広い動作温度範囲（-40℃～+85℃）
ラインナップ
| パラメータ | 試験条件 | Minimum | Typical | Maximam | |
| 波長(nm) | - | 850 | - | 1650 | |
| 暗電流(nA） | 0.9VBD,25℃ | - | 30 | - | |
| 0.9VBD,85℃ | - | 360 | - | ||
| Series Resistance(Ω) | - | - | - | 60 | |
| Terminal Capacitance(pF) | 0.9VBD,f=1MHz | - | 0 | - | |
| RLグレード：1 | 14dB(レセプタクルのみ) | ||||
| RLグレード：3 | 30dB | ||||
| RLグレード：4 | 40dB | ||||
| RLグレード：5 | 50dB(ピグテイルのみ) | ||||
| 動作温範囲 | -40～+85℃ | ||||
| Forward Current/Reverse Current | IFmax2mA/IRmax3mA | ||||
| はんだ実装温度(10秒) | 260℃max. | ||||
